西線無戰(zhàn)事，碳化硅五巨頭的硝煙

毋庸置疑，碳化硅已經(jīng)成為了半導體行業(yè)，特別是功率半導體細分市場的那個“遠方”。行業(yè)老對手和新玩家紛紛涌入，加倍下注（double down）這個新興市場。其中不但有射頻大廠Qorvo跨界收購UnitedSiC，還有三安、露笑等投資百億試圖趕超。如火如荼的場景不禁讓人聯(lián)想到百年前列強簽訂《五國關于限制海軍軍備條約》前的場景。

前有美英法意日五大強國的海軍博弈，今有意（法半導體 STMicroelectronics）、英（飛凌科技 Infineon）、美（國Wolfspeed）、日（本羅姆 Rohm）和安（森美 onsemi）在碳化硅市場爭奪戰(zhàn)中完成歷史的輪回——這五家供應商占據(jù)了2021年碳化硅功率器件市場份額的88%。

然而五巨頭對現(xiàn)狀依然充滿敬畏，在這個逆水行舟的市場中，分別祭出了各自的“Z計劃”和“八八艦隊規(guī)劃”，嘗試在已有項目、客戶資源、產(chǎn)品技術和制造產(chǎn)能等多方面超越競爭對手，下面就讓我們盤點這五巨頭的籌碼和底牌。

                                                     2021年碳化硅功率器件市場市占率分布情況（來源：Yole，01芯聞整理）

                                                                   意法半導體 STMicroelectronics

根據(jù)意法半導體在近期財報中透露的最新數(shù)據(jù)，截止2022財年第1季度，公司碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)在75個客戶的98個項目中送樣測試，其中工業(yè)應用和電動汽車應用各占一半。同時意法宣布在這個季度獲得了多個Design-win, 包括與德國模塊大廠賽米控（Semikron）簽署了一項為期4年的技術合作，由意法提供碳化硅芯片，賽米控提供封裝技術，共同開發(fā)針對電動汽車的eMPACK功率模塊。該模塊已被一家德國整車廠選用，預計2025年開始大規(guī)模采購，合同金額在10億歐元左右。

賽米控eMPACK功率模塊由三塊半橋通用構(gòu)建塊組成，已與意法達成協(xié)議采用其碳化硅MOSFET芯片 （來源：Semikron）

根據(jù)當前的項目和訂單儲備，意法預計2022年來自碳化硅產(chǎn)品的營收在7億美元左右，而這一數(shù)字在2024年將達到10億美元。目前采用意法碳化硅產(chǎn)品的整車廠客戶首推特斯拉，自Model 3車型以來就開始采用意法提供的TPAK碳化硅模塊，這也成為碳化硅上車并實現(xiàn)規(guī)?；\用的標志性事件。另外，去年底開始交付的豪華電動車Lucid Air也是采用意法的碳化硅模塊。

考慮到意法在碳化硅市場的地位，筆者認為意法對未來業(yè)務增長的預期略顯保守，與其他幾個碳化硅主要供應商相比增幅并不大。猜測主要原因是意法現(xiàn)有碳化硅產(chǎn)能已經(jīng)綁定了頭號客戶特斯拉，因此在新產(chǎn)能上線前，意法能做的事并不多。

針對這一狀況，意法計劃在2022財年投入21億美元的資本金，主要目的之一便是增加碳化硅產(chǎn)能——一方面繼續(xù)擴容意大利西西里島卡塔尼亞的6寸碳化硅晶圓廠，另一方面投入到2022年開始運營的，位于新加坡的第二座6寸碳化硅晶圓廠。

公司另將9億美元戰(zhàn)略投資中的一部分投入到碳化硅襯底的生產(chǎn)上，用于產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，在2025年實現(xiàn)40%的襯底需求內(nèi)部供應。

同時，公司也在碳化硅研發(fā)上繼續(xù)投入相當資源。在生產(chǎn)技術上，意法于2021年年中宣布其挪威分部STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. （前身為2019年收購的Norstel A.B.）開始進行8寸碳化硅材料的實驗室制造，預計相應技術將在2025年前后成熟，并應用到規(guī)劃中的新加坡8寸碳化硅生產(chǎn)線中。

在芯片設計上意法繼續(xù)深挖平面設計碳化硅MOSFET的技術潛力，推出了第4代平面柵碳化硅，預計在今年第二季度量產(chǎn)。而之前規(guī)劃的溝槽柵設計產(chǎn)品則順延成為意法的第5代碳化硅MOSFET，目前應該在工程樣品測試階段，量產(chǎn)時間待定。

                                          意法碳化硅MOSFET的產(chǎn)品路線圖新舊版本略有區(qū)別（來源：STMicroelectronics）

相比上一代產(chǎn)品，第4代平面柵碳化硅的性能有所進步，包括導通電阻減少15%，工作頻率增加一倍至1MHz。碳化硅芯片技術的進展再搭配意法開發(fā)的先進封裝，例如STPAK，ACEPACK SMIT/DRIVE等，為意法保持其碳化硅產(chǎn)品核心供應商的地位提供了重要支柱。

再加上意法碳化硅TPAK在特斯拉電動車中近5年的大規(guī)模應用積累下來的海量數(shù)據(jù)，讓意法的產(chǎn)品在多個維度都領先眾多競爭對手——Yole Developpment的數(shù)據(jù)顯示意法2021年的市占率為37%，即便未來群雄割據(jù)，管理層也表示有信心占有30%的碳化硅功率器件市場份額。

                                                                   英飛凌 Infineon

這個季度英飛凌宣布碳化硅產(chǎn)品線再獲Design-win, 分別為中國整車廠的電動汽車逆變器和車載充電機應用提供產(chǎn)品，合同總金額達到上億歐元。即使這兩個項目不能在今年貢獻顯著的營收，目前已有的碳化硅訂單也使得2022財年來自碳化硅產(chǎn)品的收入超過去年近一倍，沖擊3億歐元。

綜合現(xiàn)有Design-in和Design-win項目，公司管理層預測到2025年前后碳化硅功率器件產(chǎn)品線可以為公司帶來10億美元左右的營收。目前已經(jīng)開始英飛凌貢獻碳化硅產(chǎn)品營收的客戶包括現(xiàn)代集團，其Ioniq 5電動緊湊型休旅車采用緯湃科技Vitesco提供的800V逆變器，內(nèi)部使用的碳化硅模塊即來自英飛凌。

與此同時，英飛凌還是小鵬汽車的碳化硅模塊的主要提供商，用于旗艦SUV車型G9中，預計今年第3季度起正式交付。

                                                       英飛凌對碳化硅功率器件業(yè)務的財務預期 （來源：Infineon）

雖然英飛凌的碳化硅營收增長迅猛，但是英飛凌并非通過薄利多銷的方式來擴大其碳化硅市場份額。CEO Jochen Hanebeck表示碳化硅帶來的毛利潤率反而高于車規(guī)產(chǎn)品事業(yè)部和工業(yè)產(chǎn)品事業(yè)部的平均值。這一點對英飛凌尤為重要：與德州儀器和NXP等競爭對手相比，目前英飛凌在模擬和功率半導體公司中運營利潤率處于墊底的位置，急需改變所銷售的產(chǎn)品構(gòu)成來提供利潤率，鞏固其功率細分市場一哥的位置。

英飛凌碳化硅產(chǎn)品能夠定位高質(zhì)高價，其原因在于起采用的溝槽碳化硅MOSFET技術的先進和成熟。雖然平面結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝較為簡單，柵極氧化物可靠性更高，但是在與性能相關的單位面積導通電阻和寄生電容，以及成本相關的單位電流芯片尺寸上不能比肩溝柵設計。

而英飛凌的半包溝槽結(jié)構(gòu)是業(yè)界不多的幾個能夠量產(chǎn)上車的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)設計（其他還包括羅姆的雙溝槽和住友的接地雙掩埋結(jié)構(gòu)等）——按照公眾號“碳化硅芯片學習筆記”作者的說法，“溝槽MOS成套工藝及結(jié)構(gòu)IP，是未來十年碳化硅競爭的入場券！”

                                平面碳化硅MOSFET的品質(zhì)因素FOM遜于溝槽柵設計（來源：SystemPlus Consulting）

英飛凌的溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅以CoolSiC作為商品名，目前已推出了兩代產(chǎn)品。第一代以1200V為主，目前處于量產(chǎn)階段。而第二代產(chǎn)品包括1200V和750V兩個電壓規(guī)格，相較上一代增加了25-30%的載電流能力。

在針對電動汽車開發(fā)的碳化硅模塊產(chǎn)品上，英飛凌著重擴充HybridPACK Drive系列產(chǎn)品，推出了尺寸和管腳兼容的的HybridPACK Drive CoolSiC。目的是充分利用前期HybridPACK Drive建立的業(yè)內(nèi)知名度和客戶資源，減少市場推廣成本，降低客戶切入的壁壘。

不過為了獲得更好的性能和更緊湊的方案尺寸，第二代CoolSiC也采用了業(yè)內(nèi)逐漸流行的雙面水冷封裝HybridPACK DSC，推出了全新的碳化硅塑封模塊。

                                           英飛凌CoolSiC技術的迭代，以及對應的電壓規(guī)格和功率模塊封裝 （來源：英飛凌）

與同處歐洲的競爭對手意法半導體類似，英飛凌的碳化硅營收也受制于產(chǎn)能。因此，公司一方面從技術要產(chǎn)能，通過開發(fā)冷裂（Cold Split）技術減少晶錠（boule）切割過程中的材料損失，從相同的晶錠中獲得多一倍的碳化硅襯底。目前這一技術處于小批量試產(chǎn)中，預計2024年完全成熟。

另一方面，公司也在年初宣布斥資逾20億歐元在馬來西亞建設第三期Kulim晶圓廠，專門用于寬禁帶半導體包括碳化硅的前道生產(chǎn)。新廠區(qū)計劃在今年6月開始施工，2024年夏季進行設備安裝，首批晶圓于2024年下半年開始出貨。

                                                      英飛凌的冷裂技術可使碳化硅襯底產(chǎn)能翻倍 （來源：英飛凌）

                                                                           Wolfspeed

Wolfspeed這個季度（2022財年第3季度）最大的新聞就是其位于紐約州莫霍克谷（MVF）的8寸碳化硅晶圓廠正式開始運營，預計在2023年上半年貢獻顯著營收。這座晶圓廠占地6.3萬平方米，耗資10億美元，是目前世界上最大的碳化硅生產(chǎn)線。

根據(jù)公司在2021年投資者大會上公布的信息，每片8寸晶圓上的碳化硅芯片數(shù)量將比現(xiàn)有的6寸晶圓增加了近90%，并且得益于先進的自動化生產(chǎn)設備，良率也比Wolfspeed的6寸產(chǎn)線提高20%-30%。

按照粗略的計算，MVF的8寸晶圓生產(chǎn)總成本（包括襯底和前道工藝）只要不超過Wolfspeed Durham晶圓廠6寸晶圓成本的2.5倍，MVF晶圓廠生產(chǎn)的碳化硅芯片成本就可以低于目前水平。而管理層對MVF晶圓廠帶來的成本優(yōu)化的預期更為樂觀，認為2024財年Wolfspeed單顆碳化硅芯片成本將僅為當前的37%。

Wolfspeed對MVF建成后碳化硅芯片成本變化的預期，其中28%的降本來自良率提高，25%來自規(guī)模效應，另有10%來自自動化減少的人工和生產(chǎn)周期（來源：Wolfspeed）

MVF晶圓廠的運營也給Wolfspeed的產(chǎn)能帶來飛躍。根據(jù)投資者日上間接透露的信息計算，2022財年和2024財年的公司碳化硅襯底總產(chǎn)能（以8寸晶圓計）分別為每周2千3百片和3千3百片。假設這些襯底全部內(nèi)部消化且只用來生產(chǎn)功率器件，Wolfspeed碳化硅模塊的產(chǎn)能理論上可以滿足2022年170萬臺和2024年240萬臺電動汽車的需求。

本季度除了營收同比和環(huán)比繼續(xù)保持增長外，Wolfspeed的Design-in項目金額也與上季度一樣保持高位，達到16億美元。這使得本財年迄今為止的Design-in總金額增加到38億美元，較去年同期增加一倍。

這些新增的Design-in項目中，有大約70%來自電動汽車行業(yè)，包括明星電動車企Lucid的旗艦車型Lucid Air。在意法的碳化硅模塊之外，這款高端電動汽車也將引入Wolfspeed的XM3碳化硅功率模塊。預計2023年MVF 8寸線能夠穩(wěn)定量產(chǎn)后，Lucid也將使用內(nèi)含MVF碳化硅芯片的XM3模塊用于Lucid Air及后續(xù)車型。因此，Lucid首席工程師、產(chǎn)品資深副總Eric Bach在MVF晶圓廠開業(yè)典禮時作為客戶代表致辭，也是為了能夠盡快拿到MVF晶圓廠的量產(chǎn)芯片。

                           Lucid Air的逆變器中用到了3塊Wolfspeed XM3碳化硅模塊 （來源：Lucid，Wolfspeed）

如果將時間拉長到過去三年，Wolfspeed累積的Design-in金額在87億美元這個驚人的水平，其中包括大眾集團“未來汽車供應路線（FAST）”計劃和通用汽車奧騰能平臺項目。另外，市場也傳言戴姆勒集團和奧迪的下一代E-tron車型也選擇了Wolfspeed的產(chǎn)品。

本季度管理層表示已經(jīng)有45%的Design-in即40億美元轉(zhuǎn)化為Design-win，這意味著Design-win對應的客戶已經(jīng)開始實際批量采購Wolfspeed的碳化硅芯片，且至少占預期第一年數(shù)量的20%。

按照公司預估的2024財年15億美元營收目標，這也需要差不多3年時間才能滿足已有的客戶需求，因此產(chǎn)能不足造成的訂單積壓仍然是一大挑戰(zhàn)?？紤]到這個情況，管理層把擴充碳化硅襯底和器件制造產(chǎn)能依舊作為公司的首要工作。

舉措之一就是在本季度財報電話會議中，Wolfspeed宣布公司已經(jīng)開始著手第二座8寸碳化硅晶圓廠的籌備工作，比之前的規(guī)劃大大提前。CEO Gregg Lowe透露新晶圓廠較MVF規(guī)模更大，并且美國聯(lián)邦和州政府依然將提供大力支持，更多信息會在今年底釋出。另外，第三座襯底工廠的建設也在考慮中，以滿足內(nèi)部和外部襯底客戶的需求。

Wolfspeed的碳化硅MOSFET采用平面設計，目前處于第3代（Gen 3），涵蓋650V到1200V之間的多個電壓規(guī)格。與之前兩代產(chǎn)品相比，Gen 3 平面MOSFET采用六邊形晶胞微觀設計，650V Gen 3和1200V Gen 3+的單位面積導通電阻分別為2.3 m?·cm2和2.7 m?·cm2，較上一代Strip Cell減少了16%。

（一個有趣的對比是，另一家碳化硅MOSFET大廠安森美的技術升級路線與Wolfspeed正好相反，其第一代平面產(chǎn)品M1采用Hex Cell設計，但是在后面的M3中改為Strip Cell，性能提高的幅度也是16%，有待考證為何雙方矛盾的技術升級卻得到了相同的結(jié)果）

                                       Wolfspeed Gen 3碳化硅MOSFET采用Hex Cell的平面技術（來源：Wolfspeed）

一份較早的資料中Wolfspeed提到其Gen 3碳化硅MOSFET已經(jīng)到達了平面設計的實際性能極限，下一代產(chǎn)品將是溝槽柵設計。目前Wolfspeed的Gen 4 溝槽柵仍在開發(fā)中，具體量產(chǎn)時間還沒有透露。

不過，作為一家在碳化硅行業(yè)中浸淫了超過30年的企業(yè)，Wolfspeed及其前身Cree在1991年就推出了第一片量產(chǎn)碳化硅襯底。深厚的經(jīng)驗積累和歷史沉淀讓Wolfspeed的碳化硅襯底性能和質(zhì)量獨占鰲頭，就連意法、英飛凌和安森美等同行業(yè)競爭對手不得不花費上億美元向其采購。因此，Wolfspeed的碳化硅產(chǎn)品獲得了至關重要的先發(fā)優(yōu)勢，成為了整個碳化硅行業(yè)的風向標。

                 Wolfspeed 8英寸碳化硅襯底的結(jié)構(gòu)質(zhì)量和化學機械拋光（CMP）工藝后的表面質(zhì)量都表現(xiàn)出色 （來源：wolfspeed）

                                                                               羅姆 Rohm

羅姆作為一家在東京證卷交易所上市的科技企業(yè)，其投資者關系網(wǎng)站上提供的英文資料有限。但是從能夠找到的資料中，可以看到公司對其碳化硅業(yè)余也是極具信心——管理層預測2025財年碳化硅產(chǎn)品營收將超過1000億日元（7.7億美元），而目前已挖掘出來的市場機會則超過8400億日元（65億美元）。

這些財務和業(yè)務目標來自羅姆積極的產(chǎn)業(yè)布局。公司已經(jīng)與國際多家客戶建立了緊密的聯(lián)系，合作項目帶來的預期營收就占到總營收目標的20%-30%。

僅在中國，羅姆就與正海集團成立主營碳化硅功率模塊設計和制造業(yè)務的合資企業(yè)海姆?？啤Ｍ瑫r，與整車廠吉利汽車，以及國內(nèi)汽車行業(yè)知名一級供應商聯(lián)合電子UAES分別成為戰(zhàn)略伙伴關系或首選供應商。另外，也與聯(lián)合電子和專注新能源汽車動力解決方案的初創(chuàng)企業(yè)臻驅(qū)Leadrive成立聯(lián)合實驗室或者聯(lián)合研發(fā)中心。

            羅姆碳化硅營收增長目標（23-26財年，對應日歷年2022年到2025年），以及目前已經(jīng)公布的產(chǎn)業(yè)合作 （來源：Rohm）

當然，野望需要有匹配的實力才能實現(xiàn)。羅姆已經(jīng)規(guī)劃在2021年至2025年的5年間，投入1200億至1700億日元（10億-13億美元）的資金，將碳化硅產(chǎn)能擴充至少6倍。這些投資現(xiàn)在已看到部分成果，包括在今年初完成了日本筑后市 Apollo 工廠新大樓的建設，從而提高了 SiC 芯片產(chǎn)能。

大量投資也涌入了羅姆2010年收購的SiCrystal。這家碳化硅襯底供應商的中期目標是每年生產(chǎn)數(shù)十萬片碳化硅襯底，實現(xiàn)上億美元的營收。同時，SiCrystal也在探索8英寸襯底生產(chǎn)的可能性，目前已經(jīng)開始驗證工作，預計2023年批量生產(chǎn)。

在碳化硅器件技術方面羅姆也處于領先地位。2010 年公司就開始量產(chǎn)首款碳化硅MOSFET，與之后推出的第2代產(chǎn)品都采用平面柵極設計。2015年羅姆又領先競爭對手，率先量產(chǎn)雙溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品。

                                        羅姆的碳化硅MOSFET技術路線圖，以及第4代產(chǎn)品的銷售占比變化 （來源：Rohm）

2020 年更進一步，推出了針對電動汽車優(yōu)化的第 4 代 1200V碳化硅MOSFET，在不降低短路耐受時間的情況下，通過改進雙溝槽結(jié)構(gòu)設計，比第3代產(chǎn)品降低了40%的導通電阻。同時，通過降低柵漏電容（Cgd），使得開關損耗減少了至多50%。綜合來看，第4代產(chǎn)品獲得了更好的FOM（品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)igure of Merit）。羅姆預測第4代碳化硅MOSFET從今年起在其銷售構(gòu)成中的占比逐漸增加，直至2024-2025年成為銷售主力。

與其他尚在挑戰(zhàn)首款量產(chǎn)溝槽柵產(chǎn)品的競爭對手相比，羅姆已領先數(shù)個身位，第5代產(chǎn)品正在開發(fā)中，預計比上一代產(chǎn)品減低30%的單位面積導通電阻，計劃于2025年量產(chǎn)。不止于此，第6代碳化硅MOSFET也出現(xiàn)在技術路線圖的遠景規(guī)劃中，將于2028年量產(chǎn)。

                                                                            安森美 onsemi

安森美在2022年第1季度繼續(xù)保持強勁增長，毛利潤率也達到了近50%的歷史新高，處于公司成立以來的高光時期。碳化硅產(chǎn)品的業(yè)績貢獻雖然占比還比較小，但是增長動量十足——安森美與客戶簽訂的未來三年長期供應協(xié)議（LTSA）總金額已達到26億美元，其中有超過20億美元來自電動汽車動力總成對碳化硅模塊的需求，包括蔚來汽車和特斯拉。

                               蔚來汽車ET7將采用安森美900V碳化硅功率模塊驅(qū)動 （來源：onsemi，蔚來汽車）

CEO Hassan El-Khoury表示這些承諾訂單將從2022年下半年起開始批量履約，推動碳化硅產(chǎn)品線在2022年的營收較上一年增加超過一倍，并在2023年為安森美貢獻10億美元的銷售額。

不過與英飛凌不同的是，管理層透露2022年下半年至2023年上半年期間碳化硅產(chǎn)品的利潤率將低于公司平均水平。這歸結(jié)于之前安森美尚未規(guī)模供應碳化硅模塊產(chǎn)品，今年下半年起的產(chǎn)能爬坡所需的啟動成本降低了毛利潤率。

雖然安森美在五巨頭中排名末席，但是其綜合實力不可小覷，尤其是2021年第3季度通過收購襯底供應商GTAT，搭建了從碳化硅晶錠、襯底、器件生產(chǎn)到模塊封裝的垂直整合模式。雖然其中一些項目的技術實力與各領域領先企業(yè)還有所差距，但是整體實力卻更為均衡——與襯底龍頭Wolfspeed相比，安森美的模塊封測和量產(chǎn)經(jīng)驗略勝一籌；與器件設計實力超群的英飛凌相比，安森美又有來自GTAT碳化硅材料的加成。

                                                         安森美在碳化硅業(yè)務上的布局 （來源：onsemi）

安森美也看到了自身在碳化硅方面的綜合實力，把碳化硅確立為公司兩大資產(chǎn)投資方向之一，規(guī)劃在2022年將碳化硅襯底產(chǎn)能增加四倍，意圖在未來能夠自產(chǎn)所需的全部碳化硅襯底和外延片。

在碳化硅晶圓制造上，安森美已經(jīng)在6寸晶圓上實現(xiàn)量產(chǎn)，目前推出的絕大部分產(chǎn)品如碳化硅MOSFET單管，光伏碳化硅模塊等均來自韓國Bucheon晶圓廠6寸線。與此同時，安森美也跟隨Wolfspeed等行業(yè)領先者的步伐，在材料方面和晶圓制造上均開始嘗試8寸碳化硅的生產(chǎn)。

得益于仙童半導體在碳化硅技術上的積累，安森美在收購仙童后也獲得了開發(fā)各類碳化硅產(chǎn)品的堅實基礎。

安森美的第1代碳化硅MOSFET技術（M1）采用平面設計，耐壓等級為1200V。之后從中衍生出900V和750V耐壓的規(guī)格，微觀結(jié)構(gòu)也改為Hex Cell設計，這兩個改動相疊加使得碳化硅MOSFET的導通電阻降低了35%左右。目前安森美推出的大部分碳化硅產(chǎn)品均基于M1與其衍生出的M2平臺。

目前最新的一代碳化硅技術（M3）仍然采用平面技術，但是改為Strip Cell設計，導通性能較上一代衍生版本再提高了16%。這一代產(chǎn)品將逐漸成為公司的主力車規(guī)碳化硅平臺，在電壓規(guī)格上覆蓋電動汽車主流的400V和800V平臺。

而安森美的下一代技術平臺M4則會從平面結(jié)構(gòu)升級為溝槽結(jié)構(gòu)，目前已積累了大約20份相關專利。與初代碳化硅技術相比，在相同載電流的要求下可以減少相當?shù)男酒娣e。這意味著以前210kW輸出功率需要4片碳化硅芯片并聯(lián)才能實現(xiàn)，而M4平臺預計只需要其一半面積的芯片即可。如果再加上M4平臺可能采用8寸晶圓生產(chǎn)，預期M4的成本較之前將顯著降低。

                                 安森美的碳化硅技術持續(xù)進步，功率密度、散熱能力和成本不斷優(yōu)化（來源：onsemi）

根據(jù)研究機構(gòu)Yole Développement最近的一份研報，碳化硅器件的主要應用場合為電動汽車，占到總營收的近80%。而碳化硅功率模塊又是碳化硅芯片的主流封裝模式。因此，高性能大功率模塊封裝是碳化硅應用，特別是車規(guī)應用的關鍵研發(fā)領域之一。

通過IGBT模塊上的多年積累，安森美在大功率車規(guī)模塊上早有布局，其技術涵蓋了市場上主流的兩種大功率模塊類型，一是有凝膠灌封的框架式模塊，二是整體覆蓋環(huán)氧樹脂材料的塑封式模塊。前者即是被應用于蔚來汽車ET7的功率模塊，而后者更是安森美的研發(fā)重點。

相較框架式模塊，塑封模塊可以實現(xiàn)更高的功率密度。同時，外形設計具有靈活性，可以根據(jù)客戶的要求進行半定制或者完全定制。正是因為這些特點，再加上公司在模塊設計和量產(chǎn)上的成功經(jīng)驗，最終讓安森美從特斯拉初獲得了TPAK模塊新增供應商的門票。

碳化硅功率器件五巨頭都對未來市場發(fā)展和各自公司碳化硅產(chǎn)品營收增長表達了樂觀的看法，因此投入重金積極擴充碳化硅襯底和晶圓制造產(chǎn)能。與此同時，這些公司也積極進行技術升級，包括向8英寸制造演進，以及開發(fā)溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET，以期獲得性能提升的同時，獲得更多的單位產(chǎn)出和更低的成本。

不止于此，五巨頭在各自擅長的領域建立了準入壁壘，包括意法的應用經(jīng)驗和封裝，Wolfspeed的8寸制造能力，英飛凌和羅姆的溝槽柵設計，以及安森美的垂直整合，意圖在未來仍然維持起行業(yè)領導者的地位。

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