日本經(jīng)產(chǎn)相在美國視察日美合作的半導體研發(fā)設施

日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)相萩生田光一3日訪問美國紐約州奧爾巴尼，視察日美企業(yè)參與的新一代半導體研究開發(fā)設施。與美國IBM和日本半導體相關企業(yè)交換意見，并表示力爭推進日美合作以及加強產(chǎn)官學合作。

萩生田指出從經(jīng)濟安全保障的觀點出發(fā)，新一代技術的開發(fā)也很重要，表示“作為盟國的日美將比此前更加團結(jié)一體推進舉措”。

該設施由紐約州和IBM為主運營，紐約州立大學、東京電子、SCREEN控股等也參與其中。IBM以該設施為基地成功開發(fā)出制程為2納米（1納米為10億分之1米）的新一代半導體，有望提升電子設備的速度和性能。

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