三星計劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò) (BSPDN) 技術(shù)來開發(fā)2納米芯片

TheLec 報道稱，三星正計劃使用一種稱為背面供電網(wǎng)絡(luò) (BSPDN) 的技術(shù)來開發(fā) 2 納米，該技術(shù)是上周由研究員 Park Byung-jae 在三星 SEDEX 2022 上推出的一種新技術(shù)。該方案給出了制程縮進(jìn)、3D封裝外的另一個方向，即開發(fā)晶圓背面。

轉(zhuǎn)載：TheLec 

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