全球碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長

                                                                                                              全球碳化硅產(chǎn)業(yè)概況

隨著電動汽車、新能源、5G通信乃至云計算的加速普及，全球市場對功率半導體的需求快速飆升。以碳化硅（SiC）為代表的第三代化合物半導體具有耐高壓、低損耗、高頻三大優(yōu)勢，能顯著提升模組效率并減少體積。

全球碳化硅市場正處于高速成長階段，2025年市場規(guī)模有望較2020年翻5倍，從12億美元增長至60億美元，對應復合增長率為38.2%。據(jù)預測，到2025年，僅全球新能源汽車市場對碳化硅器件及模塊的需求就將達到30.1億美元，占據(jù)市場規(guī)模的一半。隨著中國在新能源汽車產(chǎn)業(yè)的強勢崛起，中國將占據(jù)碳化硅市場的重要份額。

                                                                                                             歐洲碳化硅產(chǎn)業(yè)格局

從全球格局來看，碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)歐、美、日三足鼎立的局面，其中歐洲在設計、制造、器件等領域具備領先優(yōu)勢。全球功率半導體市場前十名中，排名第一的德國英飛凌、第二名的美國安森美半導體和第三名的瑞士意法半導體地位十分穩(wěn)固，其中英飛凌碳化硅部門2021年營收約為2億美元，市場份額約為20%。

歐洲廠商正通過垂直化整合，加大擴產(chǎn)力度，不斷強化在該領域的競爭優(yōu)勢。今年2月，英飛凌宣布投資超過20億歐元，擴大在馬來西亞的碳化硅和氮化鎵工廠產(chǎn)能，將在2024年下半年投入運營；意法半導體表示將在未來4年內(nèi)大幅提高晶圓產(chǎn)能，計劃到2024年將碳化硅晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍；安森美半導體2021年以約26.87億人民幣正式收購碳化硅襯底廠商GTAT，并將碳化硅產(chǎn)能擴充4倍以上。2021年11月，德、法等歐洲七國的34家實體聯(lián)合發(fā)起“碳化硅價值鏈項目”，在歐洲建立完整可控的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，維持從材料、襯底、器件、封裝、電力電子應用的全產(chǎn)業(yè)鏈競爭力。   

                                                                                                           碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

在碳化硅器件的成本構成中，襯底和外延環(huán)節(jié)約占器件總成本的50%和25%，為產(chǎn)業(yè)鏈中價值量最高的環(huán)節(jié)。據(jù)預測，2026年全球碳化硅襯底有效產(chǎn)能約為330萬片，距離同年的襯底629萬片的需求量尚有較大差距，在業(yè)內(nèi)形成穩(wěn)定且高良率規(guī)?；鲐浨埃麄€行業(yè)都將持續(xù)呈現(xiàn)供不應求的格局。

當前絕大多數(shù)用于功率半導體器件的碳化硅襯底都是6英寸，根據(jù)業(yè)內(nèi)觀點，5年內(nèi)6英寸碳化硅襯底依然會扮演主流角色。雖然8英寸碳化硅量產(chǎn)仍面臨諸多挑戰(zhàn)，但基于8英寸在有效面積、芯片合格率、綜合成本等方面的優(yōu)勢，國際大廠紛紛加入了8英寸碳化硅襯底開發(fā)的行列：英飛凌計劃在2023年左右開始量產(chǎn)8英寸襯底，2025年實現(xiàn)8英寸碳化硅器件的量產(chǎn)；意法半導體在2021年推出首批8英寸碳化硅晶圓后，宣布將斥資數(shù)億歐元在意大利建立新基地，2024年實現(xiàn)40% 碳化硅襯底的自主供應；法國Soitec半導體發(fā)布了新款8英寸碳化硅晶圓，并于今年3月啟動新晶圓廠建設，將在2023年下半年投入運營。截止目前，只有Wolfspeed（全球最主要的碳化硅襯底供應商）在美國紐約州的晶圓廠實現(xiàn)8英寸碳化硅量產(chǎn)，預計在2024年月產(chǎn)能將達到1.5萬片。

                                                                                                             國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，襯底質量在部分參數(shù)上比肩國際龍頭，但在一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距，整體技術水平相差5-7年，正在通過加快迭代的方式，不斷追趕國際廠商。

截止2021年底，國內(nèi)廠商對襯底環(huán)節(jié)的投資金額已超240億元，襯底龍頭廠商山東天岳和天科合達在全球市場份額合計約為8%，其中主要為用于射頻器件的半絕緣型襯底；三安光電建設了國內(nèi)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能達36萬片/年，并已入選《汽車芯片推廣應用目錄》。針對新能源車、光伏等領域的導電型襯底正處于高成長性市場，供需缺口將維持相當長時間，是現(xiàn)階段國產(chǎn)替代發(fā)力的焦點區(qū)域。

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