俄羅斯將在2030年實現(xiàn)28nm芯片國產(chǎn)

據(jù)俄羅斯媒體報道，該國已經(jīng)制定了龐大的芯片替代計劃，希望在 2030 年前投資 3.19 萬億盧布，約合 2464 億人民幣實現(xiàn) 28nm 工藝的芯片設計及制造。

這個計劃早在今年 2 月份就有了初步版本，內(nèi)容非常龐雜，涉及到半導體產(chǎn)業(yè)的多個方面，從芯片設計到芯片制造，再到半導體人才無所不包。

在芯片設計上，俄羅斯計劃啟動重新設計國外開發(fā)的芯片，并將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到俄羅斯及中國，預計在 2024 年實現(xiàn)所有領域 100% 的進口替代， 2030 年形成俄羅斯自己的技術產(chǎn)品組合，這個項目耗資大約是 1.14 萬億盧布。

基礎性的芯片制造預計投資 4600 億盧布，預計今年開始生產(chǎn) 90nm 工藝的芯片， 2030 年掌握 28nm 工藝生產(chǎn)——臺積電早在 2010 年就量產(chǎn)了 28nm 工藝，不過考慮到俄羅斯的基礎， 8 年后掌握 28nm 芯片生產(chǎn)并不算過分的要求，還是有可能實現(xiàn)的。

俄羅斯不僅重視芯片設計和制造，同樣也會重點關注市場，預算中的 1.28 萬億盧布就是用于提高市場需求，計劃 2030 年將俄羅斯電子產(chǎn)品在家庭中的覆蓋率提升到 30% ，公共采購市場則要達到 100% 。

還有一個就是人才培養(yǎng)，這部分的投資預算是 3090 億盧布，計劃創(chuàng)建 400 個電子產(chǎn)品原型，開展 2000 多個研究項目，大學生的轉(zhuǎn)化率從 5% 提升到 35% ，同時還要培育 1000 個以研究中心為基礎的項目團隊。

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