美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴(kuò)建

出自：工商時(shí)報(bào)

存儲器大廠美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴(kuò)建。美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市場需求調(diào)整資本支出及產(chǎn)能規(guī)劃，并應(yīng)用先進(jìn)3D NAND制程技術(shù)，進(jìn)一步推動(dòng)5G、人工智能（AI）、自動(dòng)駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。此外，美光亦將加碼在中國臺灣DRAM廠投資，臺中廠擴(kuò)建生產(chǎn)線可望在年底前落成。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴(kuò)建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應(yīng)商、經(jīng)銷商、美光團(tuán)隊(duì)成員、當(dāng)?shù)卣賳T等共襄盛舉，而包括系統(tǒng)廠華碩、存儲器模組廠威剛、IC基板廠景碩、存儲器封測廠力成、IC渠道商文曄等美光在臺合作伙伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區(qū)，以及位于新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴(kuò)建的Fab 10A廠區(qū)將根據(jù)市場需求的趨勢調(diào)整資本支出，預(yù)計(jì)下半年可開始生產(chǎn)，但在技術(shù)及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換調(diào)整情況下，F(xiàn)ab 10廠區(qū)總產(chǎn)能不變。

美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎(chǔ)設(shè)施和技術(shù)專長上的長期投資，擴(kuò)建的Fab 10A為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運(yùn)作上的彈性，可促進(jìn)3D NAND技術(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)轉(zhuǎn)型。美光第三代96層3D NAND已進(jìn)入量產(chǎn)，第四代128層3D NAND將由浮動(dòng)閘極（floating gate）轉(zhuǎn)向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強(qiáng)調(diào)，美光3D NAND技術(shù)和儲存方案是支援長期成長的關(guān)鍵，同時(shí)進(jìn)一步推動(dòng)5G、AI、自動(dòng)駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。

美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進(jìn)制程研發(fā)重心，2017年在臺灣成立DRAM卓越中心，臺灣成為美光最大DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn)。美光近幾年來在臺投資規(guī)模不斷擴(kuò)大，臺中廠區(qū)除了現(xiàn)有12英寸廠，也將加快投資進(jìn)行新廠區(qū)擴(kuò)建，計(jì)劃在年底前完成，而臺中廠區(qū)后段封測廠亦持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。

隨著韓國存儲器廠三星及SK海力士開始評估在先進(jìn)DRAM制程上采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，美光也開始評估將EUV技術(shù)應(yīng)用在DRAM生產(chǎn)的成本效益，隨著DRAM制程由1z納米向1α、1β、1γ納米技術(shù)推進(jìn)過程，會選擇在合適制程節(jié)點(diǎn)采用EUV技術(shù)方案。